400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate
400℃ operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate
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通过离子注入高纯度半绝缘 SiC 衬底制造的具有侧栅结构的常关 n 和 p-JFET 的 400℃ 运行
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Nakajima;M. Kaneko;and T. Kimoto
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