Fabrication of La-incorporated Hf-silicate Gate Dielectrics Using PVD-based in-situ Method and its Effective Work Function Modulation of Metal/High-k Stacks
Fabrication of La-incorporated Hf-silicate Gate Dielectrics Using PVD-based in-situ Method and its Effective Work Function Modulation of Metal/High-k Stacks
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使用基于 PVD 的原位方法制造 La 掺入 Hf-硅酸盐栅极电介质及其对金属/高 k 堆栈的有效功函数调制
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Sasaki;et al;上野健一・久田健一郎編(分筆);有村拓晃;渡部平司
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