Trench Multiple Floating Limiting Rings Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices
Trench Multiple Floating Limiting Rings Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices
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适用于 4H-SiC 高压器件的沟槽式多个浮动限位环端接
DOI：
10.1109/led.2016.2581183
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发表时间：
2016-06
影响因子：
4.9
通讯作者：
Zhang, Yuming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang, Shuai;Tang, Guannan;Zhang, Yimen;Zhang, Yuming
在4H-SiC结势垒肖特基二极管中，分析并制备了一种采用高掺杂p阱环，每个环都有浅沟槽的结端方法，称为沟槽多浮限环（TMFLRs）。在厚度为50 μm的外延层上采用tmflr结构可获得6.7 kV的击穿电压，而相同端接面积的传统平面flr结构的击穿电压仅为5.7 kV。实验结果表明，TMFLRs端接结构产生约90%的平行平面击穿电压。此外，仿真结果表明，在相同的反向电压下，tmflr使体峰值电场（Epbulk）减小并远离器件表面，成功地使界面峰值电场（Ep,interface）比传统平面flr结构降低了约30%。
A junction termination method adopting heavily doped p-well rings with a shallow trench for each ring, named as a trench multiple floating limiting rings (TMFLRs), is analyzed and fabricated without any additional process in 4H-SiC junction barrier Schottky diode. A breakdown voltage of 6.7 kV is achieved using TMFLRs structure on an epitaxial layer with thickness of 50 μm, while the breakdown voltage of the conventional planar FLRs structure with the same termination area is only 5.7 kV. The experimental result has demonstrated that the TMFLRs termination structure yields about 90% of the parallel plane breakdown voltage. In addition, the simulation results show that the TMFLRs make the bulk peak electric field (Epbulk) reduce and move away from the device surface, successfully making the interface peak electric field (Ep,interface) decrease by about 30% compared with a conventional planar FLRs structure when same reverse voltages applied.
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.433-436.879
发表时间：
2003-07
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
I. Sankin;J. B. Dufrene;J. Merrett;J. Casady
通讯作者：
I. Sankin;J. B. Dufrene;J. Merrett;J. Casady
影响因子：
4.9
作者：
G. Pâques;S. Scharnholz;N. Dheilly;D. Planson;R. D. De Doncker
通讯作者：
G. Pâques;S. Scharnholz;N. Dheilly;D. Planson;R. D. De Doncker
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.433-436.891
发表时间：
2003-07
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
A. Mihaila;F. Udrea;P. Godignon;T. Trajkovic;G. Brezeanu;J. Rebollo;J. Millán
通讯作者：
A. Mihaila;F. Udrea;P. Godignon;T. Trajkovic;G. Brezeanu;J. Rebollo;J. Millán
影响因子：
1.7
作者：
D. Sheridan;G. Niu;J. Merrett;J. Cressler;C. Ellis;C. Tin
通讯作者：
D. Sheridan;G. Niu;J. Merrett;J. Cressler;C. Ellis;C. Tin
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.846-847.737
发表时间：
2013-11
期刊：
Advanced Materials Research
影响因子：
--
作者：
Run-Hua Huang;Y. Tao;Gang Chen;S. Bai;Rui Li;Yun Li
通讯作者：
Run-Hua Huang;Y. Tao;Gang Chen;S. Bai;Rui Li;Yun Li