Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology
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用于超硅技术的新型 IV 族半导体材料和器件
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yamamoto;T. Matsuo;D. Wang;K. Moto;K. Toko;and H. Nakashima
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影响因子：
1.5
作者：
M. Kurosawa;Y. Tsumura;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Kurosawa;Y. Tsumura;T. Sadoh;M. Miyao
影响因子：
1.7
作者：
Tsuyoshi Nishimura;O. Nakatsuka;Y. Shimura;S. Takeuchi;B. Vincent;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax-M.
通讯作者：
Tsuyoshi Nishimura;O. Nakatsuka;Y. Shimura;S. Takeuchi;B. Vincent;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax-M.
影响因子：
2.1
作者：
Marika Nakamura;Y. Shimura;S. Takeuchi;O. Nakatsuka;S. Zaima
通讯作者：
Marika Nakamura;Y. Shimura;S. Takeuchi;O. Nakatsuka;S. Zaima
硅纳米电子学的技术演变：后缩放技术
影响因子：
1.5
作者：
S. Zaima
通讯作者：
S. Zaima
影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira