Technology Evolution for Silicon Nanoelectronics: Postscaling Technology
Technology Evolution for Silicon Nanoelectronics: Postscaling Technology
复制标题
硅纳米电子学的技术演变：后缩放技术
DOI：
10.7567/jjap.52.030001
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Zaima
硅超大规模集成电路（ULSI）是在摩尔定律的基础上，通过缩小器件尺寸而发展起来的。然而，由于技术和经济问题的增加，未来ULSI设备的持续缩小将变得更加困难。因此，有必要建立一个不同于以缩小规模为基础的技术发展新方向。本文介绍了一种不依赖于降尺度而实现器件高性能、集成度和功能性的技术，即后尺度技术，并对后尺度技术的现状和未来前景进行了简要的总结和讨论。
Si ultralarge-scale integration (ULSI) circuits have been developed by downscaling device dimensions on the basis of the concept of scaling, following Moore's law. However, continued downscaling in future ULSI devices will become more difficult because of an increase in the number of technological and economic problems. Therefore, it is necessary to establish a new direction of technological development different from that based on downscaling. In this review, a technology that realizes devices with high performance, integration, and functionality independently of downscaling, is referred to as a postscaling technology, and the current status and future perspectives of postscaling technology are briefly summarized and discussed.
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DOI：
10.1149/1.3487583
发表时间：
2010-07
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Takeuchi;Y. Shimura;Tsuyoshi Nishimura;B. Vincent;G. Eneman;T. Clarysse;J. Demeulemeester;K. Temst;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax;R. Loo;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
通讯作者：
S. Takeuchi;Y. Shimura;Tsuyoshi Nishimura;B. Vincent;G. Eneman;T. Clarysse;J. Demeulemeester;K. Temst;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax;R. Loo;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
Ge_<1-x>Sn_x缓冲层应变弛豫行为的控制
影响因子：
1.7
作者：
J.Demeulemeester;et al;志村洋介
通讯作者：
志村洋介
影响因子：
4
作者：
Sugahara, S;Tanaka, M
通讯作者：
Tanaka, M
影响因子：
1.5
作者：
Nakatsuka, Osamu;Tsutsui, Norimasa;Zaima, Shigeaki
通讯作者：
Zaima, Shigeaki
低温分子束外延制备高质量外延CoFe/Si(111)异质结
影响因子：
4
作者：
Y.Maeda;Y.Ando;et al.
通讯作者：
et al.