A study on process-compatibility in CMOS-first MEMS-last integration
A study on process-compatibility in CMOS-first MEMS-last integration
复制标题
先CMOS后MEMS工艺兼容性研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Takahashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kazuhiro Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi
登录
查看更多内容
光学 IMEMS ® – 具有集成片上电子器件的 MEMS 光学开关的制造工艺
DOI：
10.1109/iedm.2012.6478989
发表时间：
2003
期刊：
2012 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
T. Brosnihan;S. A. Brown;A. Brogan;C. Gormley;D. Collins;S. Sherman;M. Lemkin;N. Polce;M. Davis
通讯作者：
M. Davis
采用粘合 2 /spl mu/m SOI 的高压 BiCDMOS 技术，集成垂直 npn pnp、60 V-LDMOS 和 MPU，能够在 200/spl deg/C 温度下运行
DOI：
10.1109/iedm.1995.499377
发表时间：
1995
期刊：
Proceedings of International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;Y. Kawaguchi;Y. Terazaki;H. Mochizuki;A. Nakagawa
通讯作者：
A. Nakagawa
通过类 ASIC 后处理实现高压驱动电路和 MEMS 执行器的单片集成
DOI：
10.1109/sensor.2005.1496444
发表时间：
2005
期刊：
The 13th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, 2005. Digest of Technical Papers. TRANSDUCERS '05.
影响因子：
--
作者：
K. Takahashi;H. Kwon;M. Mita;H. Fujita;H. Toshiyoshi;K. Suzuki;H. Funaki
通讯作者：
H. Funaki
用于将高压驱动器电路与体微机械执行器单片集成的 SOI-CMOS 平台
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Kazuhiro Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;H.Toshiyoshi;Kazuhiro Takahashi
通讯作者：
Kazuhiro Takahashi
光学 IMEMS/sup /spl reg//-具有集成片上电子器件的 MEMS 光开关的制造工艺
DOI：
10.1109/sensor.2003.1217096
发表时间：
2003
期刊：
TRANSDUCERS '03. 12th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems. Digest of Technical Papers (Cat. No.03TH8664)
影响因子：
--
作者：
T. Brosnihan;S.A. Brown;A. Brogan;C. Gormley;D. Collins;S. Sherman;M. Lemkin;N. Polce;M. Davis
通讯作者：
M. Davis