Built-in IDDT Appearance Time Sensor for Detecting Open Faults in 3D IC
Built-in IDDT Appearance Time Sensor for Detecting Open Faults in 3D IC
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内置 IDDT 出现时间传感器，用于检测 3D IC 中的开路故障
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tetsuo Tada and Shyue-Kung Lu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shohei Suenaga;Masaki Hashizume;Hiroyuki Yotsuyanagi;Tetsuo Tada and Shyue-Kung Lu
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DOI：
10.1109/delta.2004.10031
发表时间：
2004
期刊：
Proceedings. DELTA 2004. Second IEEE International Workshop on Electronic Design, Test and Applications
影响因子：
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作者：
S. Thomas;R. Makki;Sai Kishore Vavilala
通讯作者：
Sai Kishore Vavilala
使用电源瞬态信号进行路径延迟估计：使用傅立叶和小波分析的比较研究
DOI：
10.1109/iccad.2003.159760
发表时间：
2003
期刊：
ICCAD-2003. International Conference on Computer Aided Design (IEEE Cat. No.03CH37486)
影响因子：
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作者：
Abhishek Singh;J. Tharian;J. Plusquellic
通讯作者：
J. Plusquellic
适用于超深亚微米 CMOS 电路的 i/sub DDT/ 测试方法
DOI：
10.1109/delta.2002.994659
发表时间：
2002
期刊：
Proceedings First IEEE International Workshop on Electronic Design, Test and Applications '2002
影响因子：
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作者：
A. Chehab;R. Makki;M. Spica;David Wu
通讯作者：
David Wu
CMOS电路IDDT测试新方法
DOI：
10.1109/icccas.2008.4657982
发表时间：
2008
期刊：
2008 International Conference on Communications, Circuits and Systems
影响因子：
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作者：
Maowen Nie;Hongbing Xu;Jian Zhang
通讯作者：
Jian Zhang
通过开关电源电流出现时间检测 CMOS 开路故障
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Proc. of the second IEEE International Workshop on Electronic Design, Test, and Applications
影响因子：
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作者：
Y.Higami;S.Kajihara;S.Kobayeshi;Y.Takamatsu;M.Hashizume
通讯作者：
M.Hashizume