Accuracy of thickness measurement for Ge epilayers grown on SiGe/Ge/Si(100) heterostructure by x-ray diffraction and reflectivity
Accuracy of thickness measurement for Ge epilayers grown on SiGe/Ge/Si(100) heterostructure by x-ray diffraction and reflectivity
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通过 X 射线衍射和反射率测量 SiGe/Ge/Si(100) 异质结构上 Ge 外延层的厚度测量精度
DOI：
10.1116/1.3530594
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Liu X
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu X
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DOI：
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发表时间：
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