Sheet resistance and crystallinity of Ga and Al implanted zinc oxide (ZnO) thin films with postannealing
Sheet resistance and crystallinity of Ga and Al implanted zinc oxide (ZnO) thin films with postannealing
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后退火后 Ga 和 Al 注入氧化锌 (ZnO) 薄膜的薄层电阻和结晶度
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hirao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Matsuda;M. Furuta;T.Hiramatsu;H. Furuta;T. Hirao
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影响因子：
64.8
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
影响因子：
1.9
作者：
Minami, T
通讯作者：
Minami, T
用于柔性电子产品的 ZnO 薄膜晶体管
DOI：
10.1557/proc-769-h7.2
发表时间：
2003
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
P. Carcia;R. S. Mclean;M. Reilly;I. Malajovich;K. G. Sharp;S. Agrawal;G. Nunes
通讯作者：
G. Nunes
DOI：
10.1143/jjap.42.l347
发表时间：
2003-04-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Nishii, J;Hossain, FM;Kawasaki, M
通讯作者：
Kawasaki, M
通过离子注入镓、铝和硼原子增强氧化锌薄膜的导电性
影响因子：
3.2
作者：
S. Kohiki;M. Nishitani;T. Wada
通讯作者：
T. Wada