Initial investigations into the MOS interface of freestanding 3C-SiC layers for device applications
Initial investigations into the MOS interface of freestanding 3C-SiC layers for device applications
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针对器件应用的独立式 3C-SiC 层 MOS 接口的初步研究
DOI：
10.1088/1361-6641/abefa1
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发表时间：
2021
影响因子：
1.9
通讯作者：
Renz A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Renz A
本文报告了对同质外延3C-SiC生长工艺的材料质量和器件适宜性的初步研究结果。原子力显微镜表面分析表明，表面均方根粗糙度为163.21 nm，这是由材料生长过程中形成的密度为1.0 9×10 5 cm的凹坑(35μm宽，4 5 0 nm深)造成的。在更宽的扫描区域上，这些缺陷的形成被认为是由阶跃聚束引起的，这表明需要进一步改进外延工艺。X-射线衍射仪显示出良好的平均结晶质量，3C-SiC(002)的半高宽为160角秒，低于3C-on-Si材料的210角秒。C-V曲线分析表明，自支撑的3C-碳化硅、硅上的3C-碳化硅和4H-碳化硅的界面陷阱电荷能级相似，而形成气体后沉积的独立的3C-碳化硅器件的DIT能级为3.3×1011 cm−2 eV−1，E-C-−E-T=0.2 eV。漏电流测量也证实了同质外延生长的3C-SiC材料适用于MOS应用。
This letter reports on initial investigation results on the material quality and device suitability of a homo-epitaxial 3C-SiC growth process. Atomic force microscopy surface investigations revealed root-mean square surface roughness levels of 163.21 nm, which was shown to be caused by pits (35 μm width and 450 nm depth) with a density of 1.09× 10 5 cm− 2 which had formed during material growth. On wider scan areas, the formation of these were seen to be caused by step bunching, revealing the need for further epitaxial process improvement. X-ray diffraction showed good average crystalline qualities with a full width of half-maximum of 160 arcseconds for the 3C-SiC (002) being lower than for the 3C-on-Si material (210 arcseconds). The analysis of C–V curves then revealed similar interface-trapped charge levels for freestanding 3C-SiC, 3C-SiC on Si and 4H-SiC, with forming gas post-deposition annealed freestanding 3C-SiC devices showing D IT levels of 3.3× 10 11 cm− 2 eV− 1 at E C− E T= 0.2 eV. The homo-epitaxially grown 3C-SiC material's suitability for MOS applications could also be confirmed by leakage current measurements.
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影响因子：
1.8
作者：
Anzalone, R.;Litrico, G.;La Via, F.
通讯作者：
La Via, F.
在起伏的 Si(001) 衬底上生长的 3C-SiC 单晶
DOI：
10.1557/proc-742-k1.6
发表时间：
2002
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
H. Nagasawa;K. Yagi;T. Kawahara;N. Hatta
通讯作者：
N. Hatta
具有室温下定义的欧姆接触的 3C-SiC 晶体管
影响因子：
4.9
作者：
Fan Li;Y. Sharma;D. Walker;S. Hindmarsh;M. Jennings;D. Martin;C. Fisher;P. Gammon;A. Pérez‐Tomás;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.563
发表时间：
2005-02
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
V. Afanas’ev;F. Ciobanu;S. Dimitrijev;G. Pensl;A. Stesmans
通讯作者：
V. Afanas’ev;F. Ciobanu;S. Dimitrijev;G. Pensl;A. Stesmans
影响因子：
3.4
作者：
Anzalone, Ruggero;Zimbone, Massimo;La Via, Francesco
通讯作者：
La Via, Francesco