In-situ analysis of optoelectronic properties of dislocations in ZnO by TEM observations
In-situ analysis of optoelectronic properties of dislocations in ZnO by TEM observations
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通过 TEM 观察对 ZnO 中位错的光电特性进行原位分析
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I. Yonenaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ohno;T. Taishi;I. Yonenaga
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