Strain dependent anisotropy in photoluminescence of heteroepitaxial nonpolar a-plane ZnO layers
Strain dependent anisotropy in photoluminescence of heteroepitaxial nonpolar a-plane ZnO layers
复制标题
异质外延非极性 a 面 ZnO 层光致发光中的应变相关各向异性
DOI：
10.1364/ome.7.003944
复制
发表时间：
2017-11
影响因子：
2.8
通讯作者：
Feng Zhechuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Jingwen;Zhang Jun;Dai Jiangnan;Wu Feng;Wang Shuai;Long Hanling;Liang Renli;Xu Jin;Chen Changqing;Tang Zhiwu;He Yunbin;Li Mingkai;Feng Zhechuan
利用脉冲激光沉积系统在r-蓝宝石、a- gan和a- al0.08 gan三种模板上制备了具有各向异性平面应变的非极性a-ZnO薄膜，研究了生长在异质衬底上的a-ZnO的各向异性光致发光特性。通过偏振相关光致发光（PL）测量和偏振透射光谱测量，研究了生长在GaN和AlGaN模板上的非极性ZnO的光学各向异性。0.3μm a-ZnO层上生长氮化镓模板具有显著的各向异性光学性质与程度的极化(计划)的光致发光(PL)光谱约为0.8907,大于0.8786氧化锌在r-sapphire a-ZnO a-Al0.08GaN或0.8408,显示,制备的氮化镓可能是最好的候选人Al组件的调节器,增加x p-AlxGa1-xN会减弱异质外延a-ZnO层的各向异性性质,为非极性a平面ZnO极化光电器件的衬底选择提供了有价值的依据。提出了晶体质量各向异性与光学各向异性之间的关系。
Nonpolar a-plane ZnO layers with anisotropic in-plane strains were prepared on the three substrates of r-sapphire, a-GaN, and a-Al0.08GaN templates via a pulsed laser deposition system, to investigate the distinguishing anisotropic photoluminescence properties of a-ZnO grown on foreign substrates. The optical anisotropy of nonpolar ZnO grown on GaN and AlGaN templates was investigated via polarization-dependent photoluminescence (PL) measurement and polarization transmission spectra measurement. The 0.3 μm a-ZnO layer grown on the a-GaN template has significant anisotropic optical properties with a degree of polarization (DOP) of the photoluminescence (PL) spectrum of about 0.8907, larger than 0.8786 of ZnO on a-Al0.08GaN or 0.8408 of a-ZnO on r-sapphire, revealing that the a-GaN may be the best candidate for the fabrication of modulators and that the increase of the Al component x of p-AlxGa1-xN will attenuate the anisotropic properties of the heteroepitaxial a-ZnO layer, providing a valuable basis for the choice of appropriate substrate for nonpolar a-plane ZnO based polarized optoelectronic devices. Moreover, the relationship between crystal quality anisotropy and optical anisotropy was proposed.
登录
查看更多内容
影响因子：
41.2
作者：
Tsukazaki, A;Ohtomo, A;Kawasaki, M
通讯作者：
Kawasaki, M
影响因子：
4
作者：
J. Tomm;T. Q. Tien;D. Cassidy
通讯作者：
J. Tomm;T. Q. Tien;D. Cassidy
影响因子：
3.7
作者：
C. Shan;Zhi-feng Liu;S. Hark
通讯作者：
C. Shan;Zhi-feng Liu;S. Hark
基于二维ZnO纳米片的高性能顶栅铁电场效应晶体管
影响因子：
4
作者：
Tian, Hongzheng;Wang, Xudong;Hu, Weida
通讯作者：
Hu, Weida
影响因子：
1.5
作者：
A. Chakraborty;B. Haskell;H. Masui;S. Keller;J. Speck;S. Denbaars;S. Nakamura;U. Mishra
通讯作者：
A. Chakraborty;B. Haskell;H. Masui;S. Keller;J. Speck;S. Denbaars;S. Nakamura;U. Mishra