Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals
Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO_2/Si interface formed using oxygen radicals
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氧自由基形成的 SiO_2/Si 界面的成分跃迁和价带偏移的晶体取向依赖性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hattori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Suwa;A. Teramoto;Y. Kumagai;K. Abe;X. Li;Y. Nakao;M. Yamamoto;Y. Kato;T. Muro;T. Kinoshita;T. Ohmi;T. Hattori
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