Low temperature (～250℃) Layer Exchange Crystallization of Si_<1-x>Ge_x (x=0-1) on insulator for Advanced Flexible Devices
Low temperature (～250℃) Layer Exchange Crystallization of Si_<1-x>Ge_x (x=0-1) on insulator for Advanced Flexible Devices
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先进柔性器件绝缘体上Si_<1-x>Ge_x (x=0-1)的低温（~250℃）层交换结晶
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Sadoh
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J.-H.Park;M.Kurosawa;N.Kawabata;M.Miyao;T.Sadoh
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影响因子：
4
作者：
H. Kanno;K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
H. Kanno;K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
影响因子：
--
作者：
J. Park;M. Kurosawa;Naoyuki Kawabata;M. Miyao;T. Sadoh
通讯作者：
J. Park;M. Kurosawa;Naoyuki Kawabata;M. Miyao;T. Sadoh
影响因子：
1.5
作者：
M. Kurosawa;Y. Tsumura;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Kurosawa;Y. Tsumura;T. Sadoh;M. Miyao
局部Ge插入在SiO_2上固相结晶高质量Si薄膜
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Thin Solid Films 451-452C
影响因子：
--
作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他
通讯作者：
I.Tsunoda 他
通过压印技术增强非晶硅固相结晶成核
影响因子：
4
作者：
K. Makihira;T. Asano
通讯作者：
T. Asano