Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
复制标题
硅源气体和基底偏压对射频等离子体增强化学气相沉积掺硅类金刚石碳薄膜性能的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
影响因子：
1.5
通讯作者：
M. Mashita
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Nakazawa;T. Kinoshita;Y. Kaimori;Y. Asai;M. Suemitsu;T. Abe;K. Yasui;T. Endoh;T. Itoh;Y. Narita;Y. Enta;M. Mashita
登录
查看更多内容
通过程序升温解吸研究有机硅烷在 Si(0 0 1) 处的初始吸附和 C 掺入
影响因子：
6.7
作者：
K. Senthil;M. Suemitsu
通讯作者：
M. Suemitsu
基底偏压对甲烷和氩气等离子增强化学气相沉积制备的类金刚石碳薄膜的结构、机械和摩擦学性能的影响
影响因子：
1.5
作者：
H. Nakazawa;Shigeki Katoh;Y. Asai;M. Mashita
通讯作者：
M. Mashita
乙炔在Si(100)-(2×1)上的吸附与分解
影响因子：
15
作者：
P. Taylor;R. Wallace;C. Cheng;W. Weinberg;M. Dresser;W. J. Choyke;J. Yates
通讯作者：
J. Yates
使用单甲基硅烷作为硅源，通过等离子体增强化学气相沉积薄膜沉积硅掺入类金刚石碳
影响因子：
1.5
作者：
H. Nakazawa;Y. Asai;T. Kinoshita;M. Suemitsu;Toshimi Abe;K. Yasui;T. Itoh;T. Endoh;Y. Narita;A. Konno;Y. Enta;M. Mashita
通讯作者：
M. Mashita
通过角扫描光电子能谱和衍射研究 SiO2/Si(100) 界面结构
DOI：
10.1016/j.elspec.2004.02.024
发表时间：
2004
影响因子：
1.9
作者：
S. Dreiner;M. Schürmann;C. Westphal
通讯作者：
C. Westphal