Effect of bistrifluoromethane sulfonimide treatment on nickel/InAs contacts
Effect of bistrifluoromethane sulfonimide treatment on nickel/InAs contacts
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双三氟甲磺酰亚胺处理对镍/InAs 触点的影响
DOI：
10.1007/s00339-019-2705-7
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zeng, Yuping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shariar, Kazy F.;Lin, Guangyang;Wang, Zijian;Cui, Peng;Zhang, Jie;Opila, Robert;Zeng, Yuping
在这项工作中，双（三氟甲烷）磺酰亚胺（TFSI）（超强酸）表面处理的镍/InAs接触和InAs材料的电性能的影响进行了研究与传输线测量（TLM）。TFSI处理后的裸InAs TLM图案，InAs和Ni接触之间的接触电阻增加。而对于经ZrO 2薄膜钝化的InAs TLM结构，经TFSI处理后，InAs的总电阻急剧下降。X射线光电子能谱（XPS）测试表明，TFSI还原了InAs/ZrO 2界面处的氧化铟。这种新的钝化方法可用于III-V族半导体器件的制造工艺中，以降低接触电阻，从而提高器件性能，为III-V族半导体器件的制造工艺技术提供了新的指导。
In this work, the effects of bis(trifluoromethane) sulfonimide (TFSI) (a superacid) surface treatment on electrical properties of nickel/InAs contacts and InAs material are investigated with transmission line measurements (TLMs). After TFSI treatments on bare InAs TLM patterns, the contact resistance between InAs and Ni contact increased. While for InAs TLM structure passivated with a ZrO2thin film, the total resistance of InAs decreased drastically after TFSI treatments. X-ray photoelectron spectroscopy measurements revealed that the TFSI reduced the indium oxide at the InAs/ZrO2interface. This novel passivation method can be adopted in III–V semiconductor device fabrication process to reduce contact resistance and, therefore, enhance device performances, providing a new guidance for III–V fabrication process technology.
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