Transmission Electron Microscopy Study of an AlN Nucleation layer for the Growth of GaN on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
Transmission Electron Microscopy Study of an AlN Nucleation layer for the Growth of GaN on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
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通过金属有机气相外延在 7 度偏向 (001) Si 衬底上生长 GaN 的 AlN 成核层的透射电子显微镜研究。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Ichihasi 他4名
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S.Tanaka;T.Tanji;M.Ichihasi 他4名
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影响因子：
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作者：
Kobayashi, NP;Kobayashi, JT;Rich, DH
通讯作者：
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通讯作者：
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通讯作者：
S. P. D. Steven P. Denbaars
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4
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