流路構造体および流路構造体の製造方法
流路構造体および流路構造体の製造方法
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流路结构及其制造方法
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发表时间：
2014
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三维硅纳米线的 Si(110)、(111) 和 (001) 表面同时平坦化
影响因子：
4
作者：
Y. Morita;H. Ota
通讯作者：
H. Ota
通过氢气热蚀刻修整多纳米线通道的应变硅和硅锗三栅 MOSFET 迁移率增强的观察
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
T. Tezuka;E. Toyoda;S. Nakaharai;N. Hirashita;N. Sugiyama;N. Taoka;Y. Yamashita;O. Kiso;M. Harada;T. Yamamoto;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi
AFM 测量活性氧化原子级硅表面蚀刻
DOI：
10.1016/j.susc.2010.05.005
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Morita;S. Migita;W. Mizubayashi;H. Ota
通讯作者：
H. Ota
使用低 pH HF 溶液对 Si(001) 衬底进行表面处理
影响因子：
4
作者：
Y. Morita;M. Nishizawa
通讯作者：
M. Nishizawa
使用活性氧化的亚 10 纳米直径硅纳米线 FET 的新型制造技术
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
影响因子：
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作者：
Y. Morita;S. Migita;W. Mizubayashi;H. Ota
通讯作者：
H. Ota