Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga203-In203-ZnO Thin-Film Transistors
Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga203-In203-ZnO Thin-Film Transistors
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Ga2O3-In2O3-ZnO薄膜晶体管退化的实验和理论分析
DOI：
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发表时间：
2009
影响因子：
1.5
通讯作者：
Mami Fujii
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
濱本雄治;加藤岳生;Mami Fujii;Mami Fujii;Mami Fujii
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影响因子：
64.8
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
影响因子：
56.9
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
DOI：
10.1016/j.physe.2003.11.149
发表时间：
2004-03-01
影响因子：
3.3
作者：
Hossain, FM;Nishii, J;Kawasaki, M
通讯作者：
Kawasaki, M
非晶硅和多晶硅薄膜晶体管的数值模拟
影响因子：
1.5
作者：
M. Hack;J. Shaw;P. G. Lecomber;M. F. Willums
通讯作者：
M. F. Willums
P-18：偏置应力下 ZnO TFT 稳定性的提高
DOI：
10.1889/1.2785273
发表时间：
2007
期刊：
SID Symposium Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Chi;Sang Hee Ko Park;Jeong;S. Chung;Yong;L. Do;H. Chu
通讯作者：
H. Chu