Direct writing of silicon nanostructures using liquid-phase electron beam induced deposition of hydrosilanes
Direct writing of silicon nanostructures using liquid-phase electron beam induced deposition of hydrosilanes
复制标题
使用液相电子束诱导氢硅烷沉积直接写入硅纳米结构
DOI：
10.1088/1361-6528/abe0e9
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Mori Masahiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masuda Takashi;Mori Masahiro
固体Si（晶片）和气态Si（硅烷）通常用作制造Si器件的起始材料。在这项研究中，一种液体前体（液相氢硅烷）的半导体硅，称为液体硅（liq-Si），合成建立一个液体路径制造硅。虽然液体到固体的Si转化可以通过在400 ° C下加热来诱导，但是在此通过电子束（EB）照射来实现没有加热的转化。本研究首次用电子束辐照液态硅。尺寸可控的Si纳米点，直径的顺序为100 nm，直接沉积在任何点通过液相电子束诱导沉积（LP-EBID）与50 nm的光束直径。与典型的EBID相比，这种方法在能量色散X射线光谱的检测极限下得到的沉积物中碳杂质含量高达90%。LP-EBID的加工分辨率可能为1 nm或更低。因此，这种非加热沉积技术实现了Si纳米结构的直接写入，将成为Si纳米制造的有力工具。
Solid Si (wafer) and gaseous Si (silane) are generally used as starting materials for fabricating Si devices. In this study, a liquid precursor (liquid-phase hydrosilane) for semiconducting Si, called liquid Si (liq-Si), was synthesized to establish a liquid pathway for fabricating Si. Although the liquid-to-solid Si conversion can be induced by heating at 400 C, conversion without heating was realized herein by electron-beam (EB) irradiation. This study is the first to irradiate liq-Si with EB. Size-controllable Si nanodots, with diameters of the order of 100 nm, were directly deposited at any point by liquid-phase electron-beam-induced deposition (LP-EBID) with a beam diameter of 50 nm. This approach yielded less-contaminated deposits at the detection limit of energy-dispersive x-ray spectroscopy, as opposed to typical EBID, wherein carbon impurities up to 90% are found. The processing resolution of LP-EBID is potentially 1 nm or less. Therefore, this non-heating deposition technique realizes the direct writing of Si nanostructures and would be a powerful tool for Si nanofabrication.
登录
查看更多内容
使用 Xe、Ar、He 和 H2 稀释气体对 RF SiH4 等离子体中的 SiH2 密度进行激光诱导荧光研究
影响因子：
1.5
作者：
A. Kono;N. Koike;H. Nomura;Toshio Goto Toshio Goto
通讯作者：
Toshio Goto Toshio Goto
影响因子：
2.8
作者：
Bresin, Matthew;Botman, Aurelien;Hastings, Jeffrey Todd
通讯作者：
Hastings, Jeffrey Todd
DOI：
10.1088/0022-3727/26/6/019
发表时间：
1993-06
期刊：
Journal of Physics D
影响因子：
--
作者：
A. Howling;L. Sansonnens;J. Dorier;C. Hollenstein
通讯作者：
A. Howling;L. Sansonnens;J. Dorier;C. Hollenstein
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Onischuk;V. Strunin;M. A. Ushakova;V. N. Panfilov
通讯作者：
V. N. Panfilov
影响因子：
4
作者：
Trifunovic, M.;Shimoda, T.;Ishihara, R.
通讯作者：
Ishihara, R.