Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate
Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate
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在 SiC 高纯度半绝缘基板上制造的横向 p-i-n 二极管中观察到接近理想的击穿电压
DOI：
10.1109/ted.2023.3245998
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发表时间：
2023
影响因子：
3.1
通讯作者：
Grossner U.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kaneko M.;Tsibizov A.;Kimoto T.;Grossner U.
采用直接离子注入的方法在高纯度半绝缘碳化硅衬底上制备了具有小i区宽度（小于）的横向p-i-n二极管。二极管的击穿电压随i区宽度的增加而增加，横向有效击穿电场为1.7 ~ 1.9 MV/cm。实验击穿电压与计算机辅助设计（TCAD）仿真技术吻合较好，表明在i区宽度较小的情况下，深电平对半绝缘性能的贡献不会严重影响击穿电压。
Lateral p-i-n diodes with small i-region width (less than) were fabricated by direct ion implantation into a high-purity semi-insulating silicon carbide (SiC) substrate. The breakdown voltage of the diodes increased with increasing the i-region width and a lateral effective breakdown electric field of 1.7–1.9 MV/cm was obtained. The experimental breakdown voltage well agreed with the technology computer-aided design (TCAD) simulation, indicating that deep levels contributing the semi-insulating property do not seriously deteriorate the breakdown voltage in case of the small i-region width.
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