The impact of quantum confinement on the electrical characteristics of ultrathin-channel GeOI MOSFETs
The impact of quantum confinement on the electrical characteristics of ultrathin-channel GeOI MOSFETs
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量子限制对超薄沟道GeOI MOSFET电特性的影响
DOI：
10.1088/1674-4926/35/4/044004
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发表时间：
2014-04
影响因子：
5.1
通讯作者：
Y.R. Bai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.M. Fan;J.P. Xu;L. Liu;Y.R. Bai
基于TCAD软件中的密度梯度模型，研究了量子限制对超薄沟道GeOInn-MOSFET电学特性的影响。研究了沟道厚度(Tch)和背栅偏置(VBG)对GeOI MOSFET电学特性的影响，并与传统的半经典模型进行了比较。结果表明，当Tch>；8 nm时，在QC模型下，GeOI MOSFET的电子传导路径比在CL模型下更靠近前栅界面；当Tch>；8 nm时，量子力学机制主要影响亚阈值斜率(或阈值电压)。由于量子尺寸效应，随着沟道厚度的减小，关态电流可以被抑制。
The impact of quantum confinement on the electrical characteristics of ultrathin-channel GeOI n-MOSFETs is investigated on the basis of the density-gradient model in TCAD software. The effects of the channel thickness (Tch) and back-gate bias (Vbg) on the electrical characteristics of GeOI MOSFETs are examined, and the simulated results are compared with those using the conventional semi-classical model. It is shown that when Tch > 8 nm, the electron conduction path of the GeOI MOSFET is closer to the front-gate interface under the QC model than under the CL model, and vice versa when Tch 8 nm (or < 8 nm), the quantum-mechanical mechanism mainly impacts the subthreshold slope (or the threshold voltage). Due to the quantum-size effect, the off-state current can be suppressed as the channel thickness decreases.
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DOI：
10.1109/vtsa.2011.5872220
发表时间：
2011-04
期刊：
Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
影响因子：
--
作者：
V. Hu;M. Fan;P. Su;C. Chuang
通讯作者：
V. Hu;M. Fan;P. Su;C. Chuang
影响因子：
2.1
作者：
M. Pala;C. L. Royer;G. Carval;L. Clavelier
通讯作者：
M. Pala;C. L. Royer;G. Carval;L. Clavelier
影响因子：
3.7
作者：
ANCONA, MG;TIERSTEN, HF
通讯作者：
TIERSTEN, HF
影响因子：
2.4
作者：
Chang-Hung Yu;Yu-Sheng Wu;V. Hu;P. Su
通讯作者：
Chang-Hung Yu;Yu-Sheng Wu;V. Hu;P. Su
影响因子：
4.9
作者：
Yu-Sheng Wu;Hsin-Yuan Hsieh;V. Hu;P. Su
通讯作者：
Yu-Sheng Wu;Hsin-Yuan Hsieh;V. Hu;P. Su