Crystallographic orientation and growth velocity anisotropy in melt growth of silicon

Crystallographic orientation and growth velocity anisotropy in melt growth of silicon
复制标题

硅熔体生长中的晶体取向和生长速度各向异性

DOI:
--
复制
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Kozo Fujiwara
Kozo Fujiwara
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Shashank Shekhar Mishra;Lu-Chung Chuang;Jun Nozawa;Kensaku Maeda;Haruhiko Morito;Kozo Fujiwara

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

绝缘体薄膜上厚硅的区域熔化再结晶
DOI: 10.1016/0167-577x(84)90128-9
发表时间: 1984
期刊: Materials Letters
影响因子: 3
作者:
H. Atwater;Henry I. Smith;C. Thompson;M. Geis
通讯作者: M. Geis
DOI: 10.1063/1.94255
发表时间: 1983
影响因子: 4
作者:
H. Atwater;C. Thompson;Henry I. Smith;M. Geis
通讯作者: M. Geis
DOI: 10.1016/0167-577x(83)90044-7
发表时间: 1983
期刊: Materials Letters
影响因子: 3
作者:
A. Limanov;E. I. Givargizov
通讯作者: E. I. Givargizov
区域熔化再结晶硅薄膜中亚晶界和缺陷轨迹的表征和夹带
DOI: 10.1063/1.337360
发表时间: 1986
影响因子: 3.2
作者:
M. Geis;Henry I. Smith;Chenson Chen
通讯作者: Chenson Chen
DOI: 10.1063/1.93021
发表时间: 1982
影响因子: 4
作者:
M. Geis;Henry I. Smith;B. Tsaur;John C. C. Fan;E. Maby;D. Antoniadis
通讯作者: D. Antoniadis