窒化物半導体電子デバイスのプロセス開発と応用
窒化物半導体電子デバイスのプロセス開発と応用
复制标题
氮化物半导体电子器件工艺开发及应用
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
岡田 浩
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yota Uehigashi;Shinya Ohmagari;Hitoshi Umezawa;Hideaki Yamada;Jianbo Liang;and Naoteru Shigekawa;岡田 浩
登录
查看更多内容
用于低能离子中性交叉束研究的离子束源
DOI：
10.1143/jjap.12.1
发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Mochizuki;T. Arikawa
通讯作者：
T. Arikawa
硅及其化合物的气体等离子体刻蚀特性
DOI：
10.1143/jjap.12.154
发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Abe;Y. Sonobe;T. Enomoto
通讯作者：
T. Enomoto
反应等离子体处理中自由基、气相和表面反应的测量技术
影响因子：
6.7
作者：
M. Hori;T. Goto
通讯作者：
T. Goto
影响因子：
1.5
作者：
N. Hosokawa;R. Matsuzaki;Tatsuo Asamaki
通讯作者：
Tatsuo Asamaki
影响因子：
3.2
作者：
COBURN, JW;WINTERS, HF
通讯作者：
WINTERS, HF