Anisotropic schrodinger equation quantum corrections for 3D Monte Carlo simulations of nanoscale multigate transistors
Anisotropic schrodinger equation quantum corrections for 3D Monte Carlo simulations of nanoscale multigate transistors
复制标题
纳米级多栅晶体管 3D 蒙特卡罗模拟的各向异性薛定谔方程量子校正
DOI：
10.1109/iwce.2015.7301956
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Elmessary M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Elmessary M
登录
查看更多内容
影响因子：
2.4
作者：
D. Nagy;M. Elmessary;M. Aldegunde;R. Valin;A. Martinez;J. Lindberg;W. Dettmer;D. Peric;A. García-Loureiro;K. Kalna
通讯作者：
D. Nagy;M. Elmessary;M. Aldegunde;R. Valin;A. Martinez;J. Lindberg;W. Dettmer;D. Peric;A. García-Loureiro;K. Kalna
Si 和 In$_{
m 0.3}$Ga$_{
m 0.7}$As Bulk MOSFET 终极沟道缩放的蒙特卡罗研究
影响因子：
2.4
作者：
A. Islam;B. Benbakhti;K. Kalna
通讯作者：
K. Kalna
供设计人员使用的全耗尽型器件：FDSOI 和 FinFET
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
T. Hook
通讯作者：
T. Hook
规模化 InGaAs 无植入 NanoMOSFET 的基准测试
影响因子：
3.1
作者：
K. Kalna;N. Seoane;A. García;I. Thayne;A. Asenov
通讯作者：
A. Asenov
基于薛定谔方程的量子修正应用于蒙特卡罗器件模拟
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Winstead;Umberto Ravaioli
通讯作者：
Umberto Ravaioli