Double-layer stepped Si(1 0 0) surfaces prepared in As-rich CVD ambience
Double-layer stepped Si(1 0 0) surfaces prepared in As-rich CVD ambience
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富As CVD环境下制备双层阶梯式Si(1′0′0)表面
DOI：
10.1016/j.apsusc.2018.07.181
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发表时间：
2018
影响因子：
6.7
通讯作者：
T. Hannappel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Paszuk;O. Supplie;M. Nandy;S. Brückner;A. Dobrich;P. Kleinschmidt;B. Kim;Y. Nakano;M. Sugiyama;T. Hannappel
Si（1 0 0）上的低缺陷III-V族集成需要原子有序的异质界面。为此，我们利用反射各向异性光谱原位研究了金属有机化学气相沉积（MOCVD）过程中As与Si（100）表面的相互作用以及二聚Si（100）：As表面的形成.表面过程的控制使我们能够有意地“旋转”二聚体取向，并在主要的（1 × 2）和（2 × 1）重构Si（1 0 0）：As表面之间进行选择，无论是低表面取向差还是高表面取向差。我们还验证了（2 × 1）表面重构在能量上更有利于邻位Si（1 0 0）：As表面。我们解释了Si（1 0 0）的制备：作为表面显示出几乎单畴的（1 × 2）重构表面，RMS粗糙度≤1 μ m，并显示出宽的原子级平坦台阶以及规则的双层台阶。该表面非常适合后续的低缺陷III-V集成。
Low-defect III-V integration on Si(1 0 0) requires atomically well-ordered heterointerfaces. To this end, we study the interaction of As with Si(1 0 0) surfaces and the formation of dimerized Si(1 0 0):As surfacesin situwith reflection anisotropy spectroscopy during metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Control of surface processes allows us to intentionally ‘rotate’ the dimer orientation and choose between predominantly (1 × 2) and (2 × 1) reconstructed Si(1 0 0):As surfaces both for low and higher surface misorientation. We also verify that the (2 × 1) surface reconstruction becomes energetically more favorable for vicinal Si(1 0 0):As surfaces. We explain the preparation of Si(1 0 0):As surfaces displaying an almost single-domain, (1 × 2) reconstructed surface with an RMS roughness ≤1 Å and exhibiting broad, atomically flat terraces as well as regular double-layer steps. This surface is highly suitable for subsequent low-defect III-V integration.
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通讯作者：
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DOI：
--
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影响因子：
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T. Hannappel