1/f Noise and trap density in n-channel strained-Si/SiGe modulation doped field effect transistors
1/f Noise and trap density in n-channel strained-Si/SiGe modulation doped field effect transistors
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n 沟道应变 Si/SiGe 调制掺杂场效应晶体管中的 1/f 噪声和陷阱密度
DOI：
10.1016/j.sse.2009.03.022
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发表时间：
2009
影响因子：
1.7
通讯作者：
Fobelets K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fobelets K
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--
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