Device performance tuning of Ge gate-all-around tunneling field effect transistors by means of GeSn: Potential and challenges
Device performance tuning of Ge gate-all-around tunneling field effect transistors by means of GeSn: Potential and challenges
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利用 GeSn 调节 Ge 环栅隧道场效应晶体管的器件性能：潜力与挑战
DOI：
10.23919/mipro.2017.7973391
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Schulze
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Rolseth;A. Blech;I. A. Fischer;Y. Hashad;R. Koerner;K. Kostecki;A. Kruglov;V.S. Senthil Srinivasan;M. Weiser;T. Wendav;K. Busch;J. Schulze
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L. Jiang;J. Gallagher;C. L. Senaratne;T. Aoki;J. Mathews;J. Kouvetakis;J. Menéndez
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