Novel silicon-controlled rectifier (SCR) for digital and high-voltage ESD power supply clamp
Novel silicon-controlled rectifier (SCR) for digital and high-voltage ESD power supply clamp
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用于数字和高压 ESD 电源钳位的新型可控硅整流器 (SCR)
DOI：
10.1007/s11432-013-5016-1
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发表时间：
2014-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hao Yue
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Peng;Wang Yuan;Zhang Xing;Ma XiaoHua;Hao Yue
由于闩锁问题，用于片上ESD保护的电源箝位的可控硅整流器（SCR）的主要问题是其固有的低保持电压，特别是在高压应用中。本文提出了一种MOS内部可控硅（MISCR），它具有几乎没有骤回的特性和良好的ESD鲁棒性，可用于片上电源箝位ESD保护。该器件通过改变堆叠数实现了一系列的触发和保持电压，也可用于高压ESD电源箝位应用。
Due to latch-up issue, the main problem of silicon-controlled rectifier (SCR) for power supply clamps in on-chip ESD protection is its inherent low holding voltage, especially in high-voltage applications. In this paper, we proposed a MOS-inside SCR (MISCR) showing nearly no snapback character and good ESD robustness, which is qualified for on-chip power clamp ESD protection. The stacked device achieves a series of triggering and holding voltage by altering the stacking number, which can also be used for the high voltage ESD power supply clamp applications.
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DOI：
10.1109/tdmr.2011.2170839
发表时间：
2012-03
影响因子：
2
作者：
Chih-Yao Huang;F. Chiu;Quo-Ker Chen;Ming-Fang Lai;J. Tseng
通讯作者：
Chih-Yao Huang;F. Chiu;Quo-Ker Chen;Ming-Fang Lai;J. Tseng
影响因子：
3.1
作者：
Sheng-Fu Hsu;M. Ker
通讯作者：
Sheng-Fu Hsu;M. Ker
影响因子：
4.9
作者：
M. Ker;Chien‐Hui Chang
通讯作者：
M. Ker;Chien‐Hui Chang
DOI：
--
发表时间：
2006-09
期刊：
2006 Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium
影响因子：
--
作者：
O. Quittard;Z. Mrcarica;F. Blanc;G. Notermans;T. Smedes;H. van Zwol
通讯作者：
O. Quittard;Z. Mrcarica;F. Blanc;G. Notermans;T. Smedes;H. van Zwol
影响因子：
4.9
作者：
Chun-Hsiang Lai;Meng-Hwang Liu;Shin Su;Tao-Cheng Lu;S. Pan
通讯作者：
Chun-Hsiang Lai;Meng-Hwang Liu;Shin Su;Tao-Cheng Lu;S. Pan