Epitaxial growth of Gd_<2-x>Ce_xCuO_4 thin films
Epitaxial growth of Gd_<2-x>Ce_xCuO_4 thin films
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Gd_<2-x>Ce_xCuO_4薄膜的外延生长
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Krockenberger;et. al.
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在反应磁控溅射沉积过程中使用高通量、低能离子辐照进行 TiN/MgO(001) 层的全应变低温外延
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
Taeyoon Lee;H. Seo;H. Hwang;B. Howe;S. Kodambaka;J. Greene;I. Petrov
通讯作者：
I. Petrov
升级版超高真空磁控溅射系统，用于多功能性和软件控制的沉积
影响因子：
4
作者：
A. le Febvrier;L. Landälv;T. Liersch;David Sandmark;P. Sandström;P. Eklund
通讯作者：
P. Eklund
DOI：
10.1116/1.578874
发表时间：
1994-03-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
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作者：
IVANOV, I;KAZANSKY, P;SUNDGREN, JE
通讯作者：
SUNDGREN, JE
磁场辅助直流磁控溅射多组分氮化物薄膜的等离子体诊断和薄膜生长
影响因子：
4
作者：
Smita G. Rao;Ruibin Shu;R. Boyd;A. le Febvrier;P. Eklund
通讯作者：
P. Eklund
以空气为反应气体的直流磁控溅射生长多主元（CoCrFeMnNi）氮氧化物薄膜
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
G. Radnóczi;R. Dedoncker;G. Radnóczi;Z. Czigány;A. Sulyok;V. Kovács;D. Depla
通讯作者：
D. Depla