Enhancement-Mode AlInN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Enabled by Thermally Oxidized Gates
Enhancement-Mode AlInN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Enabled by Thermally Oxidized Gates
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由热氧化栅极实现的增强型 AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管
DOI：
10.1109/ted.2023.3343313
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发表时间：
2023
影响因子：
3.1
通讯作者：
Wierer, Jonathan J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Palmese, Elia;Xue, Haotian;Pavlidis, Spyridon;Wierer, Jonathan J.
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DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Microelectronics and reliability
影响因子：
--
作者：
G. Meneghesso;M. Meneghini;D. Bisi;I. Rossetto;Tian;M. V. Hove;D. Marcon;S. Stoffels;S. Decoutere;E. Zanoni
通讯作者：
E. Zanoni
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作者：
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通讯作者：
Chang‐Luen Wu
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1.9
作者：
Zaidi, Z. H.;Lee, K. B.;Houston, P. A.
通讯作者：
Houston, P. A.
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DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium
影响因子：
--
作者：
C. Gaquière;F. Medjdoub;J. Carlin;S. Vandenbrouck;E. Delos;E. Feltin;N. Grandjean;E. Kohn
通讯作者：
E. Kohn
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DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Gu;Cai Yong;Zhihong Feng;Liu Bo;Zeng Chunhong;Guohao Yu;Z. Dong;Baoshun Zhang
通讯作者：
Baoshun Zhang