Reduced nonradiative recombination in semipolar green-emitting III-N quantum wells with strain-reducing AlInN buffer layers
Reduced nonradiative recombination in semipolar green-emitting III-N quantum wells with strain-reducing AlInN buffer layers
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使用减少应变的 AlInN 缓冲层减少半极性绿光发射 III-N 量子阱中的非辐射复合
DOI：
10.1063/1.5118853
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
A. Hangleiter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Henning;P. Horenburg;H. Bremers;U. Rossow;F. Tendille;P. Vennegues;P. De Mierry;J. Zuniga-Perez;A. Hangleiter
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在应力松弛的 InxGa1−xN 缓冲层上使用宽量子阱生长的长波长发光二极管的性能得到改善
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Koslow;Claire McTaggart;Feng Wu;S. Nakamura;J. Speck;S. Denbaars
通讯作者：
S. Denbaars
半导体深陷阱非辐射多声子载流子捕获和喷射特性的温度依赖性。
影响因子：
1.6
作者：
R. Pässler
通讯作者：
R. Pässler
影响因子：
2.3
作者：
Haller, Camille;Carlin, Jean-Francois;Grandjean, Nicolas
通讯作者：
Grandjean, Nicolas
非极性GaInN/GaN多量子阱结构的X射线成分分析
DOI：
10.1002/pssb.201046335
发表时间：
2011
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
H. Bremers;A. Schwiegel;L. Hoffmann;H. Jönen;U. Rossow;J. Thalmair;J. Zweck;A. Hangleiter
通讯作者：
A. Hangleiter
DOI：
10.1143/jjap.45.l659
发表时间：
2006-07-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Funato, Mitsuru;Ueda, Masaya;Mukai, Takashi
通讯作者：
Mukai, Takashi