GaN single crystals grown under moderate nitrogen pressure by a new flux: Ca3N2
GaN single crystals grown under moderate nitrogen pressure by a new flux: Ca3N2
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使用新型助熔剂 Ca3N2 在中等氮气压力下生长 GaN 单晶
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.03.016
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发表时间：
2006-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
Yuan, WX
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, XL;Wang, C;Jian, JK;Wang, G;Yuan, WX
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影响因子：
4
作者：
A. Sakai;H. Sunakawa;A. Usui
通讯作者：
A. Sakai;H. Sunakawa;A. Usui
影响因子：
1.8
作者：
S. T. Kim;Yong-Tak Lee;D. Moon;C. Hong;T. Yoo
通讯作者：
S. T. Kim;Yong-Tak Lee;D. Moon;C. Hong;T. Yoo
DOI：
10.1143/jjap.35.l74
发表时间：
1996-01-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Nakamura, S;Senoh, M;Sugimoto, Y
通讯作者：
Sugimoto, Y
DOI：
10.1007/s00339-003-2129-1
发表时间：
2004
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
W. Wang;Y. T. Song;W. Yuan;Y. Cao;X. Wu;X. L. Chen
通讯作者：
W. Wang;Y. T. Song;W. Yuan;Y. Cao;X. Wu;X. L. Chen
影响因子：
4
作者：
AMANO, H;SAWAKI, N;TOYODA, Y
通讯作者：
TOYODA, Y