Impact ionisation in Al0.9Ga0.1As0.08Sb0.92 for Sb-based avalanche photodiodes
Impact ionisation in Al0.9Ga0.1As0.08Sb0.92 for Sb-based avalanche photodiodes
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用于 Sb 基雪崩光电二极管的 Al0.9Ga0.1As0.08Sb0.92 中的碰撞电离
DOI：
10.1063/1.5006883
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发表时间：
2018
影响因子：
4
通讯作者：
Collins X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Collins X
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影响因子：
2.6
作者：
M. Lahrichi;G. Glastre;E. Derouin;D. Carpentier;N. Lagay;J. Decobert;M. Achouche
通讯作者：
M. Lahrichi;G. Glastre;E. Derouin;D. Carpentier;N. Lagay;J. Decobert;M. Achouche
Ga1−xAlxSb 中冲击的共振增强
DOI：
--
发表时间：
1980
期刊：
影响因子：
--
作者：
O. Hildebrand;W. Kuebart;M. Pilkuhn
通讯作者：
M. Pilkuhn
突变 GaAs p-i-n 结构中高电场下的隧道和碰撞电离
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Benz;M. Claassen;D. Liebig
通讯作者：
D. Liebig
Al/sub 0.8/Ga/sub 0.2/As 二极管的雪崩倍增特性
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. K. Ng;J. David;S. Plimmer;G. Rees;R. C. Tozer;M. Hopkinson;G. Hill
通讯作者：
G. Hill
DOI：
10.1109/jstqe.2017.2737880
发表时间：
2018-03-01
影响因子：
4.9
作者：
Bank, Seth R.;Campbell, Joe C.;March, Stephen D.
通讯作者：
March, Stephen D.