Dislocation core structures in Si-doped GaN
Dislocation core structures in Si-doped GaN
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Si 掺杂 GaN 中的位错核心结构
DOI：
10.1063/1.4937457
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发表时间：
2015
影响因子：
4
通讯作者：
Rhode S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rhode S
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影响因子：
4
作者：
Jinqiao Xie;S. Mita;Lindsay K. Hussey;A. Rice;J. Tweedie;J. Lebeau;R. Collazo;Z. Sitar
通讯作者：
Jinqiao Xie;S. Mita;Lindsay K. Hussey;A. Rice;J. Tweedie;J. Lebeau;R. Collazo;Z. Sitar
使用 EELS 观察 GaN 位错核心的成分和电子结构变化
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Arslan;A. Bleloch;E. Stach;S. Ogut;N. Browning
通讯作者：
N. Browning
Mbe 在 [0001] SiC 或蓝宝石上生长的 Gan 层中纯边缘螺纹位错的核心结构
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Ruterana;V. Potin;G. Nouet
通讯作者：
G. Nouet
六方氮化镓单晶中的电子诱导位错滑移运动
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Maeda;Kunio Suzuki;M. Ichihara;S. Nishiguchi;K. Ono;Y. Mera;S. Takeuchi
通讯作者：
S. Takeuchi
对“硅基底上层压聚合物复合材料的多层改性斯托尼公式”的评论 [J. Phys. 86, 5474 (1999)]
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Klein
通讯作者：
C. Klein