The effects of growth parameters on the RF-MBE growth of dilute InNSb films

The effects of growth parameters on the RF-MBE growth of dilute InNSb films
复制标题

生长参数对稀InNSb薄膜RF-MBE生长的影响

DOI:
10.1088/0022-3727/43/30/305405
复制
发表时间:
2010-08
期刊:
J. Phys. D: Appl. Phys.
影响因子:
--
通讯作者:
W Lu*
W Lu*
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
Y H Zhang, P P Chen*, H Yin, T X Li;W Lu*

文献摘要

参考文献

相似文献

采用等离子体辅助分子束外延(MBE)技术在InSb(001)衬底上生长了一系列InNSb薄膜。用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜和拉曼光谱对InNSb薄膜进行了表征
A series of InNSb films have been grown on InSb (0 0 1) substrates under various growth conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The InNSb films were characterized by high-resolution x-ray diffraction, atomic force microscopy and Raman
DOI: 10.1063/1.2990756
发表时间: 2008-10
影响因子: 4
作者:
D. Zhang;Wei Liu;Y. Wang;X. Chen;Jing Li;Zhiming Huang;Sam Zhang
通讯作者: D. Zhang;Wei Liu;Y. Wang;X. Chen;Jing Li;Zhiming Huang;Sam Zhang
DOI: 10.1088/0022-3727/41/16/165301
发表时间: 2008-08
期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子: --
作者:
K. P. Lim;S. F. Yoon;H. T. Pham;S. Tripathy
通讯作者: K. P. Lim;S. F. Yoon;H. T. Pham;S. Tripathy
DOI: 10.1063/1.2896638
发表时间: 2008-03
影响因子: 3.2
作者:
Q. Zhuang;A. Godenir;A. Krier;K. Lai;S. Haywood
通讯作者: Q. Zhuang;A. Godenir;A. Krier;K. Lai;S. Haywood
DOI: 10.1063/1.108691
发表时间: 1993-03
影响因子: 4
作者:
M. Weyers;Michio Sato
通讯作者: M. Weyers;Michio Sato
DOI: 10.1063/1.1370549
发表时间: 2001-05-07
影响因子: 4
作者:
Li, W;Pessa, M;Likonen, J
通讯作者: Likonen, J