4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Record Current Gain by A Deep-Level-Reduction Process
4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Record Current Gain by A Deep-Level-Reduction Process
复制标题
通过深度还原工艺实现创纪录电流增益的 4H-SiC 双极结晶体管
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
登录
查看更多内容
4H-SiC功率双极结型晶体管演示
影响因子：
1.1
作者：
Y. Luo;L. Fursin;Jian H. Zhao
通讯作者：
Jian H. Zhao
在 8° 偏离衬底上制造的 4H-SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管中沟槽侧壁上的异常各向异性沟道迁移率
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Appl. Phys. Lett. 90・4
影响因子：
--
作者：
M.Hayashibe;N.Suzuki;N.Nakata;A.Hattori;K.Konishi;M.Hashizume;奥井登志子;井上昌睦 他;K.Koyanagi et al.;M.Inoue et al.;S.Koyanagi et al.;Hiroyuki Naoi;H.Yano
通讯作者：
H.Yano
影响因子：
3.2
作者：
K. Kawahara;J. Suda;G. Pensl;T. Kimoto
通讯作者：
K. Kawahara;J. Suda;G. Pensl;T. Kimoto
碳化硅 BJT 的运行不会出现双极退化
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1057
发表时间：
2010
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
A. Konstantinov;M. Domeij;C. Zaring;Imre Keri;J. O. Svedberg;Krister Gumaelius;M. Östling;Mats Reimark
通讯作者：
Mats Reimark
具有低 VCESAT 和高温能力的 1200 V SiC BJT
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.686
发表时间：
2011
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. Domeij;A. Lindgren;C. Zaring;A. Konstantinov;Krister Gumaelius;Hakan Grenell;Imre Keri;J. O. Svedberg;Mats Reimark
通讯作者：
Mats Reimark