Hot Carrier Effect and Oxide Reliability of T-FinFET Devices
Hot Carrier Effect and Oxide Reliability of T-FinFET Devices
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T-FinFET 器件的热载流子效应和氧化物可靠性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jin He
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaomeng He;Guoqing Hu;Chunlai Li;Y;ong He;Jingjing Liu;Guangjin Ma;Jin He
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