Atomic-scale observation of interfacial roughness and As-P exchange in InGaAs/InP multiple quantum well
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InGaAs/InP多量子阱中界面粗糙度和As-P交换的原子尺度观察
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I.Yamakawa;R.Oga;Y.Fujiwara;Y.Takeda;A.Nakamura
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