Nitric Acid Oxidation Method to Form SiO_2/3C-SiC Structure at 120℃
Nitric Acid Oxidation Method to Form SiO_2/3C-SiC Structure at 120℃
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120℃硝酸氧化法形成SiO_2/3C-SiC结构
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.-S. Im;S. Terakawa;H. Iwasa;H. Kobayashi
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影响因子：
1.5
作者：
T. Ohshima;K. K. Lee-K.;Y. Ishida;K. Kojima;Yasunori Tanaka;Tetsuo Takahashi;M. Yoshikawa;H. Okumura;K. Arai;T. Kamiya
通讯作者：
T. Ohshima;K. K. Lee-K.;Y. Ishida;K. Kojima;Yasunori Tanaka;Tetsuo Takahashi;M. Yoshikawa;H. Okumura;K. Arai;T. Kamiya
(0001)4H-SiC在臭氧混合氧气环境下高温热氧化
DOI：
10.1063/1.1598621
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Kosugi;K. Fukuda;K. Arai
通讯作者：
K. Arai
p 型 6H–SiC(0001) 上热生长氧化物纳米膜的密度分布和电性能
DOI：
10.1063/1.1829385
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Hazra;S. Chakraborty;P. Lai
通讯作者：
P. Lai
影响因子：
1.9
作者：
S. Imai;M. Fujimoto;Asuha;Masao Takahashi;H. Kobayashi
通讯作者：
S. Imai;M. Fujimoto;Asuha;Masao Takahashi;H. Kobayashi
4H-SiC/SiO2 界面碳簇的观察
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.857
发表时间：
1997
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
V. Afanas’ev;A. Stesmans;C. Harris
通讯作者：
C. Harris