Si bilayer tunnel field-effect transistor structure realized using tilted ion-implantation technique
Si bilayer tunnel field-effect transistor structure realized using tilted ion-implantation technique
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采用倾斜离子注入技术实现的硅双层隧道场效应晶体管结构
DOI：
10.1016/j.sse.2021.107993
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发表时间：
2021
影响因子：
1.7
通讯作者：
Morita Yukinori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kato Kimihiko;Asai Hidehiro;Fukuda Koichi;Mori Takahiro;Morita Yukinori
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通讯作者：
E. Suzuki
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
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