The influence of temperature on the photoluminescence properties of single InAs quantum dots grown on patterned GaAs

The influence of temperature on the photoluminescence properties of single InAs quantum dots grown on patterned GaAs
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温度对图案化 GaAs 上生长的单个 InAs 量子点光致发光性能的影响

DOI:
10.1186/1556-276x-7-313
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发表时间:
2012
影响因子:
--
通讯作者:
M. Guina
M. Guina
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
J. T. Tommila;Ch. Strelow;A. Schramm;T. V. Hakkarainen;M. Dumitrescu;T. Kipp;M. Guina

文献摘要

参考文献

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