Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates
Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates
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改进了多孔硅衬底上硅上 GaN 的 MOCVD 生长
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Nakanishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Ishikawa;K.Shimanaka;M.Azfar bin M.Amir;Y.Hara;M.Nakanishi
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通过金属有机气相外延在硅 (111) 上生长的绿色 InGaN 发光二极管
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Feltin;S. Dalmasso;P. de Mierry;B. Beaumont;H. Lahrèche;Agnès Bouillé;H. Haas;M. Leroux;P. Gibart
通讯作者：
P. Gibart
多孔硅上生长的GaN层的形貌研究
DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00015-6
发表时间：
2002
影响因子：
3.6
作者：
A. Missaoui;H. Ezzaouia;B. Bessais;T. Boufaden;A. Matoussi;M. Bouaïcha;B. Jani
通讯作者：
B. Jani
DOI：
10.1143/jjap.37.l1354
发表时间：
1998-11-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
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作者：
Hayashi, Y;Agata, Y;Yonehara, T
通讯作者：
Yonehara, T
多孔硅上分子束外延 GaAs 层的生长和表征
影响因子：
4
作者：
T. Lin;L. Sadwick;Kang L. Wang;Y. Kao;R. Hull;C. Nieh;D. Jamieson;John Liu
通讯作者：
John Liu
多孔硅上砷化镓薄膜的生长和表征
影响因子：
1.8
作者：
S. Hasegawa;K. Maehashi;H. Nakashima;T. Ito;A. Hiraki
通讯作者：
A. Hiraki