Room-temperature growth of AlN/TiN epitaxial multi-layer by laser molecular beam epitaxy
Room-temperature growth of AlN/TiN epitaxial multi-layer by laser molecular beam epitaxy
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激光分子束外延室温生长AlN/TiN外延多层膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Wakana Hara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miao Zhang;・広川 二郎・安藤 真;Wakana Hara;Wakana Hara;Wakana Hara
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氮化钛（TiN）作为Al/Si和Cu/Si扩散势垒的比较研究：失效机理和“填充”效应
DOI：
10.1557/proc-391-211
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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作者：
Ki;Ki
通讯作者：
Ki
DOI：
10.1016/0040-6090(93)90688-l
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Price;J. Borland;S. Selbrede
通讯作者：
S. Selbrede
脉冲激光沉积生长 TiN/AlN 超晶格
DOI：
10.1557/proc-750-y5.4
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
Haiyan Wang;Abhinav Gupta;A. Tiwari;Xinghang Zhang;J. Narayan
通讯作者：
J. Narayan
通过激光分子束外延控制氧化物材料的形成
影响因子：
6.7
作者：
H. Koinuma;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto
Si(111) 衬底上室温外延生长 CeO2 薄膜以制备尖锐的氧化物/硅界面
影响因子：
1.5
作者：
M. Yoshimoto;Kazuki Shimozono;T. Maeda;T. Ohnishi;M. Kumagai;T. Chikyow;O. Ishiyama;M. Shinohara;Hideomi Koinuma Hideomi Koinuma
通讯作者：
Hideomi Koinuma Hideomi Koinuma