Modeling of Large Area Trench IGBTs: The Effect of Birds-Beak
Modeling of Large Area Trench IGBTs: The Effect of Birds-Beak
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大面积沟槽 IGBT 建模：鸟嘴效应
DOI：
10.1109/ted.2019.2911020
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Findlay E
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Findlay E
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具有沟槽栅极结构的 500V n 沟道绝缘栅双极晶体管
DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Chang;B. Baliga
通讯作者：
B. Baliga
用于 0.25 微米和亚 0.25 微米 MOSFET 技术的砷和磷双离子注入源极/漏极结
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Lee;Youngjong Lee
通讯作者：
Youngjong Lee
电导率调制功率 MOSFET 的新型注入抑制结构
DOI：
--
发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Ueda;K. Kitamura;H. Takagi;G. Kanô
通讯作者：
G. Kanô
带隙窄化对现代功率器件性能的影响
影响因子：
3.1
作者：
G. Camuso;E. Napoli;V. Pathirana;N. Udugampola;A. P. Hsieh;T. Trajkovic;F. Udrea
通讯作者：
F. Udrea
软穿通 (SPT) - 为 1200V IGBT 设定新标准
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Dewar;S. Linder;C. V. Arx;A. Mukhitinov;G. Debled
通讯作者：
G. Debled