Small-sized silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar transistor for larger forward bias safe operating area and lower turnoff energy
Small-sized silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar transistor for larger forward bias safe operating area and lower turnoff energy
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小尺寸绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管，具有更大的正向偏压安全工作区和更低的关断能量
DOI：
10.1049/mnl.2013.0040
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发表时间：
2013-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Li, Zhaoji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fu, Qiang;Zhang, Bo;Luo, Xiaorong;Wang, Zhigang;Li, Zhaoji
这封信提出了一种新型的小型绝缘体上硅衬底横向绝缘栅双极晶体管（SOI-LIGBT），其特点是在漂移区的氧化物沟槽旁边有一个低掺杂的p型柱。垂直掺杂的变化
This Letter presents a novel small-sized lateral insulated gate bipolar transistor on silicon-on-insulator substrate (SOI-LIGBT), which features a lowly doped p -type pillar alongside the oxide trench in the drift region. The variation in vertical doping
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影响因子：
3.1
作者：
B. Bakeroot;J. Doutreloigne;P. Vanmeerbeek;P. Moens
通讯作者：
B. Bakeroot;J. Doutreloigne;P. Vanmeerbeek;P. Moens
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538919
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
K. Nakamura;K. Hatori;Y. Hisamoto;S. Sakamoto;T. Harada;K. Hatade
通讯作者：
K. Nakamura;K. Hatori;Y. Hisamoto;S. Sakamoto;T. Harada;K. Hatade
影响因子：
3.1
作者：
R. Tadikonda;S. Hardikar;D. Green;M. Sweet;E. Narayanan
通讯作者：
R. Tadikonda;S. Hardikar;D. Green;M. Sweet;E. Narayanan
DOI：
10.1109/ispsd.1994.583697
发表时间：
1994-05
期刊：
Proceedings of the 6th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics
影响因子：
--
作者：
N. Thaper;B. J. Baliga
通讯作者：
N. Thaper;B. J. Baliga
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538890
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
D. H. Lu;T. Mizushima;A. Kitamura;N. Iwamuro;N. Fujishima
通讯作者：
D. H. Lu;T. Mizushima;A. Kitamura;N. Iwamuro;N. Fujishima