Characterization of slow traps in MOS interfaces of TiN/Y2O3/SiGe gate stacks
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TiN/Y2O3/SiGe 栅堆叠 MOS 界面中慢陷阱的表征
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.-E. Lee;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
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通讯作者：
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影响因子：
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通讯作者：
T. Nishimura