Heteroepitaxy of III–V Zinc Blende Semiconductors on Nanopatterned Substrates
Heteroepitaxy of III–V Zinc Blende Semiconductors on Nanopatterned Substrates
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IIIâV 闪锌矿半导体在纳米图案基底上的异质外延
DOI：
10.5772/67572
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.K.N. Lindner
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Riedl;J.K.N. Lindner
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使用分子束外延合成高纯度 III-V 纳米线
DOI：
10.1088/0953-8984/20/45/454225
发表时间：
2008
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
D. Spirkoska;C. Colombo;M. Heiss;G. Abstreiter;A. Fontcuberta i Morral
通讯作者：
A. Fontcuberta i Morral
纳米图案 3C-SiC/Si (001) 衬底上的立方 GaN
影响因子：
4
作者：
R. M. Kemper;D. As;J. Lindner
通讯作者：
J. Lindner
通过分子束外延在 Si(001) 上选择性区域生长重 n 掺杂 GaAs 纳米棒
影响因子：
4
作者：
Yoon Jung Chang;P. Simmonds;B. Beekley;M. Goorsky;J. Woo
通讯作者：
J. Woo
锯齿形硅衬底上的高质量砷化镓
影响因子：
4
作者：
K. Ismail;F. Legoues;N. Karam;J. M. Carter;Henry I. Smith
通讯作者：
Henry I. Smith
基于隧道二极管的逆变器在精确 (001) Si 基板上的单片集成
影响因子：
4.9
作者：
Yu Han;Qiang Li;K. Lau
通讯作者：
K. Lau