Influence of the anisotropy on the performance of D-band SiC IMPATT diodes
Influence of the anisotropy on the performance of D-band SiC IMPATT diodes
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各向异性对D波段SiC IMPATT二极管性能的影响
DOI：
10.1007/s00339-014-8818-0
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发表时间：
2015-03
影响因子：
2.7
通讯作者：
Yue Hao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shulong Wang;Yue Zhang;Yang Dai;Yue Hao
摘要对p+/n/n−/n+（单漂移区）4H碳化硅（4H- sic）冲击-电离-雪崩-跃迁时间（IMPATT）二极管的射频性能进行了数值模拟
Abstract Numerical simulation has been made to predict the RF performance of direction and direction p+/n/n−/n+ (single drift region) 4H silicon carbide (4H-SiC) impact-ionization-avalanche-transit-time (IMPATT) diodes for o
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DOI：
10.1049/ep.1970.0039
发表时间：
1970
期刊：
Electronics and Power
影响因子：
--
作者：
G. Pridham
通讯作者：
G. Pridham
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00437-1
发表时间：
1999-07
影响因子：
3.6
作者：
C. Carter;V. Tsvetkov;R. Glass;D. Henshall;M. Brady;S. Müller;O. Kordina;K. Irvine;J. Edmond-J.
通讯作者：
C. Carter;V. Tsvetkov;R. Glass;D. Henshall;M. Brady;S. Müller;O. Kordina;K. Irvine;J. Edmond-J.
影响因子：
3.1
作者：
SCHARFETTER, DL;GUMMEL, HK
通讯作者：
GUMMEL, HK
DOI：
10.1002/1521-396x(199707)162:1
发表时间：
1997-07
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
R. Devaty;W. J. Choyke
通讯作者：
R. Devaty;W. J. Choyke
DOI：
10.1109/5.90128
发表时间：
1991-05
期刊：
Proc. IEEE
影响因子：
--
作者：
R. Trew;J.B. Yan;P. M. Mock
通讯作者：
R. Trew;J.B. Yan;P. M. Mock