Room Temperature Photoluminescence of Lanthanoid Implanted GaN after Ultra High Pressure Annealing
Room Temperature Photoluminescence of Lanthanoid Implanted GaN after Ultra High Pressure Annealing
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超高压退火后镧系元素注入 GaN 的室温光致发光
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Naoto Hagura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin Ito;Shin-ichiro Sato;Michal Bockowski; Manato Deki; Naoto Hagura
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电感耦合等离子体刻蚀GaN的正电子湮没和阴极发光研究
DOI：
10.1002/pssb.201451498
发表时间：
2015
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
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作者：
K. Kataoka;M. Kanechika;T. Narita;Y. Kimoto;A. Uedono
通讯作者：
A. Uedono
Si 中供体和受体浓度范围为 1 × 1010 至 1 × 1020 cm−3 时光致发光光谱的系统变化
影响因子：
1.5
作者：
M. Tajima;H. Toyota;A. Ogura
通讯作者：
A. Ogura
用于测量Ge中浅掺杂剂浓度的光致发光技术的校准
DOI：
10.1063/1.4766385
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Allardt;V. Kolkovsky;K. Irmscher;J. Weber
通讯作者：
J. Weber
杂质浓度对GaAs和InP激子光致发光的影响
DOI：
10.1088/0268-1242/7/11/020
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Pen;F. Dreissen;S. Olsthoorn;L. Giling
通讯作者：
L. Giling
DOI：
10.1063/1.112706
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Henry;O. Kordina;C. Hallin;C. Hemmingsson;E. Janzén
通讯作者：
E. Janzén